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Impact of Scattering on Random Dopant Induced Current Fluctuations in Decanano MOSFETs

机译：散射对Decanano mOsFET中随机掺杂诱导电流波动的影响

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C. Alex; A. R. Brown; J. R. Watling; A. Asenov;
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年度 2013
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1. Modeling of current mismatch induced by random dopant fluctuation in nano-MOSFETs [J] . Lu Weifeng, Sun Lingling Journal of Semiconductors . 2011,第8期

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2. Random-Dopant-Induced Drain Current Variation in Nano-MOSFETs: A Three-Dimensional Self-Consistent Monte Carlo Simulation Study Using “Ab Initio” Ionized Impurity Scattering [J] . Alexander C., Roy G., Asenov A. IEEE Transactions on Electron Devices . 2008,第11期

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4. Impact of Scattering on Random Dopant Induced Current Fluctuations in Decanano MOSFETs [C] . C. Alexander, A. R. Brown, J. R. Watling, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD 2004); 20040902-04; Munich(DE) . 2004

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